電子工学専攻の伊東遼馬君（M1）が2024年11月に先進パワー半導体分科会第11回講演会で行った研究発表「SiC pチャネルMOSFETにおけるAlイオン注入を用いたカウンタードープの効果」に対して、研究奨励賞を受賞しました。(2024年11月26日)
