遅熙倫君がIEEE EDS Japan Joint Chapter Student Awardを受賞

遅熙倫君(電子工学専攻 博士3回生)がサンフランシスコで開催されたIEDM2024(12月7-11日）における発表論文 “Unique electron trapping and its impacts on electron mobility in SiC n-channel MOSFETs” に対して、
IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award (IEDM) を受賞しました。（受賞日 2月21日）