三上杏太君(電子工学専攻 博士1回生)が2023年3月に第54回（2023年春季）応用物理学会講演会で行った研究発表「無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価」に対して、応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。（受賞日 9月19日）
