立木馨大君の所属する研究グループが、SiCトランジスタ性能向上に成功しました。

「低損失電力素子として有望なSiCトランジスタの性能を6倍以上向上」

木本恒暢教授（電子工学専攻）、立木馨大本卓越大学院履修者らの研究グループは、省エネの切り札と言われるSiC（シリコンカーバイド）半導体で問題になっていた欠陥を独自の手法で大幅に低減し、実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上することに成功しました。