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立木馨大君の所属する研究グループがSiCトランジスタ性能の大幅な向上に成功しました。(10/28更新)

「低損失電力素子として有望なSiCトランジスタの性能を6倍以上向上」

木本恒暢 教授(電子工学専攻)、立木馨大 本卓越大学院履修者らの研究グループは、省エネの切り札と言われるSiC(シリコンカーバイド)半導体で問題になっていた欠陥を独自の手法で大幅に低減し、実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上することに成功しました。

 

詳細はこちら:20211027

リンク先URL:https://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research-news/2021-10-27